金融界(jie)2024年12月5日(ri)消息，国家(jia)知识产权局信息表现，比亚迪半导(dao)体股份无限公司申请一(yi)项名为“图(tu)像传(chuan)感器的制备方法(fa)和图(tu)像传(chuan)感器”的专利(li)，公开号 CN 119069492 A，申请日(ri)期(qi)为2023年5月。

专利(li)择(ze)要表现，本发明公开了(le)一(yi)种图(tu)像传(chuan)感器的制备方法(fa)和图(tu)像传(chuan)感器，所述(shu)图(tu)像传(chuan)感器的制备方法(fa)包(bao)括：提供(gong)半导(dao)体衬底(di)；在所述(shu)半导(dao)体衬底(di)上制备栅沟槽；在所述(shu)栅沟槽内(nei)制备应力记忆(yi)介电(dian)层，以使得所述(shu)栅沟槽发生拉应力；去除所述(shu)应力记忆(yi)介质(zhi)层采用该方法(fa)能够通过在栅沟槽内(nei)淀积(ji)应力记忆(yi)介电(dian)层，从而低(di)落了(le)应力传(chuan)递过程中的应力损失，且增加了(le)应力传(chuan)递的效果。

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